硅酸盐学报2008，Vol.36Issue(8)：1187-1194,8.
纳米SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理
CHEMICAL MECHANICAL POLISHING REMOVAL RATE AND MECHANISM OF SEMICONDUCTOR SILICON WITH NANO-SiO2 SLURRIES
摘要
关键词
化学机械抛光/电化学方法/单晶硅片/纳米二氧化硅浆料/抛光速率分类
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宋晓岚,刘宏燕,杨海平,张晓伟,徐大余,邱冠周..纳米SiO2浆料中半导体硅片的化学机械抛光速率及抛光机理[J].硅酸盐学报,2008,36(8):1187-1194,8.基金项目
科技部国际科技合作(2005DFBA028) （2005DFBA028）
中南大学大学生创新教育(LB06103)资助项目. （LB06103）
