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一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

邵雪 余志平

半导体学报2005,Vol.26Issue(6):1191-1196,6.
半导体学报2005,Vol.26Issue(6):1191-1196,6.

一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型

A Qusi-3D Model for a FinFET Device Based on the NEGF Method

邵雪 1余志平1

作者信息

  • 1. 清华大学微电子学研究所,北京,100084
  • 折叠

摘要

关键词

非平衡态格林函数/量子力学效应/超薄沟道/三维/数值模拟/FinFET

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

邵雪,余志平..一种基于非平衡态格林函数的准三维FinFET模型[J].半导体学报,2005,26(6):1191-1196,6.

基金项目

国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:G200036502) (批准号:G200036502)

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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