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基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀

仝召民 薛晨阳 张斌珍 王勇 张文栋 张雄文

半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1194-1197,4.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(6)：1194-1197,4.

基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀

Selective Dry Etching of GaAs/AlAs Based on SiCl4/SF6 Mixtures by ICP

仝召民 1薛晨阳 1张斌珍 1王勇 2张文栋 1张雄文2

作者信息

  • 1. 中北大学电子测试技术国家重点实验室,仪器科学与动态测试教育部重点实验室,太原030051
  • 2. 中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄050000
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摘要

关键词

GaAS/AlAs/ICP/选择性干法刻蚀/SiCl4/SF6

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

仝召民,薛晨阳,张斌珍,王勇,张文栋,张雄文..基于SiCl4/SF6的GaAs/AlAs ICP选择性干法刻蚀[J].半导体学报,2008,29(6):1194-1197,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:50775209,50535030) （批准号:50775209,50535030）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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