| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|In0.25 Ga0.75 As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

In0.25 Ga0.75 As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

殷士端 吴春武 张敬平 刘家瑞 朱沛然

半导体学报Issue(1):12,1.
半导体学报Issue(1):12,1.

In0.25 Ga0.75 As/GaAs应变异质结的离子沟道分析

殷士端 1吴春武 1张敬平 1刘家瑞 1朱沛然1

作者信息

  • 折叠

摘要

关键词

异质结/离子沟道/沟道

分类

化学化工

引用本文复制引用

殷士端,吴春武,张敬平,刘家瑞,朱沛然..In0.25 Ga0.75 As/GaAs应变异质结的离子沟道分析[J].半导体学报,1989,(1):12,1.

半导体学报

OACSCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文