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微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

赵学安 何军辉

物理学报2004,Vol.53Issue(4):1201-1206,6.
物理学报2004,Vol.53Issue(4):1201-1206,6.

微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究

A study of linear and the second nonlinear admittance about the charge polarization around junction-boundaries in a quantum cavity structure

赵学安 1何军辉2

作者信息

  • 1. 浙江大学近代物理中心,杭州,310027
  • 2. 浙江大学物理系,杭州,310027
  • 折叠

摘要

关键词

格林函数/交流电导/电化学电容

分类

数理科学

引用本文复制引用

赵学安,何军辉..微量子腔结边电荷极化结构中的线性和二阶非线性动态电导性质的研究[J].物理学报,2004,53(4):1201-1206,6.

基金项目

国家自然科学基金(批准号:10274069)、浙江省教育厅科研基金(批准号:G20010059)和浙江省自然科学基金(批准号:500079)资助的课题. (批准号:10274069)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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