半导体学报2006，Vol.27Issue(z1)：120-123,4.
4H-SiC钒离子注入层的特性
Characteristics of Vanadium Ion-Implanted Layer of 4H-SiC
摘要
关键词
碳化硅/半绝缘/钒离子注入分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
王超,张玉明,张义门..4H-SiC钒离子注入层的特性[J].半导体学报,2006,27(z1):120-123,4.基金项目
国家自然科学基金(批准号:60376001),国家重点基础研究发展规划(批准号:2002CB311904)和国防科技重点实验室基金(批准号:51432040103D0102)资助项目 （批准号:60376001）
