半导体学报2000，Vol.21Issue(12)：1208-1213,6.
SiGe/Si HBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响
Parasitic Barrier in Emitter-Base Junction and Its Effects on Performance of SiGe/Si HBT at Both Room Temperature and Low Temperature
摘要
关键词
SiGe HBT/寄生势垒/杂质偏析/低温分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
徐晨,沈光地,陈建新,邹德恕,李建军,罗辑,魏欢,周静,董欣..SiGe/Si HBT发射结的寄生势垒及其对器件室温和低温特性的影响[J].半导体学报,2000,21(12):1208-1213,6.基金项目
国家"863"计划:No.863-307-105-4(06),国家自然科学基金:No.69876004,国家自然科学基金重大项目:No 698 96260-06,北京市科委高技术重点项目和北京市自然科学基金:No.4962005资助项目[Project Sup-pored by High-Technology (863) Research and Development Program of China (No. 863-307-105-4(06)) ,by National Natural Scienc （06）
