| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

于雪峰 石寅

半导体学报2003,Vol.24Issue(11):1211-1216,6.
半导体学报2003,Vol.24Issue(11):1211-1216,6.

基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC

High-Performance CMOS D/A Converter Based on Offsetting Variations in Processing

于雪峰 1石寅1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

D/A转换器/CMOS混合集成电路/制作工艺离散性/中心对称/Skill语言

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

于雪峰,石寅..基于制作离散性对策的高性能CMOS DAC[J].半导体学报,2003,24(11):1211-1216,6.

基金项目

国家高技术研究与发展计划资助项目(编号:2002AA1Z1200) (编号:2002AA1Z1200)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文