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用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成 王启明 彭怀德 朱龙德 高季林

物理学报Issue(9)：1220-1226,7.
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物理学报Issue(9)：1220-1226,7.

用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心

鲍庆成 1王启明 1彭怀德 1朱龙德 1高季林1

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鲍庆成,王启明,彭怀德,朱龙德,高季林..用MOS方法研究四元混晶In0.75Ga0.25As0.58P0.42中的深能级中心[J].物理学报,1983,(9):1220-1226,7.

物理学报

1000-3290

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