半导体学报2007，Vol.28Issue(8)：1221-1225,5.
采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌
Improvement of Surface Morphology of RF MBE Grown(0001)GaN via In-Protected Growth Interruption Modulation
摘要
关键词
调制中断/表面形貌/GaN薄膜分类
电子信息工程引用本文复制引用
钟飞,周秀菊,王玉琦,邱凯,李新化,尹志军,姬长建,韩奇峰,曹先存,陈家荣,段铖宏..采用铟束流保护下的调制中断生长技术改善(0001)GaN表面形貌[J].半导体学报,2007,28(8):1221-1225,5.基金项目
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