半导体学报2003，Vol.24Issue(11)：1222-1225,4.
适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术
A Deep Vertical SiO2 Etching Technique for AWG Fabrication
魏珂 1刘训春 1曹振亚 1王润梅 1罗明雄 1牛立华1
作者信息
- 1. 中国科学院微电子中心,北京,100029
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摘要
关键词
阵列波导光栅(AWG)/SiO2/感应耦合等离子体刻蚀(ICP)分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
魏珂,刘训春,曹振亚,王润梅,罗明雄,牛立华..适用于阵列波导光栅制作的厚SiO2陡直刻蚀技术[J].半导体学报,2003,24(11):1222-1225,4.
