|国家科技期刊平台
| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性

ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性

张琦锋 戎懿 陈贤祥 张耿民 张兆祥 薛增泉 陈长琦 吴锦雷

半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1225-1229,5.
✕
半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1225-1229,5.

ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性

Fabrication of ZnO Nanowires by Vapor-Phase Deposition and Their Field Emission Properties

张琦锋 1戎懿 1陈贤祥 2张耿民 1张兆祥 1薛增泉 1陈长琦 2吴锦雷1

作者信息

  • 1. 北京大学信息科学技术学院,北京,100871
  • 2. 合肥工业大学机械与汽车工程学院,合肥,230009
  • 折叠

摘要

关键词

ZnO/纳米线/气相沉积/场发射

分类

数理科学

引用本文复制引用

张琦锋,戎懿,陈贤祥,张耿民,张兆祥,薛增泉,陈长琦,吴锦雷..ZnO纳米线的气相沉积制备及场发射特性[J].半导体学报,2006,27(7):1225-1229,5.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:2001CB610503),国家自然科学基金(批准号:50202002,60471007,60231010,90206048)和北京市自然科学基金(批准号:4032012,4042017)资助项目 （批准号:2001CB610503）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文