半导体学报2007，Vol.28Issue(8)：1226-1231,6.
微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应
Strain and Annealing Effect of SiGe/Si Heterostructure in Limited Area Grown by MBE
摘要
关键词
SiGe/应变/位错/分子束外延分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
杨鸿斌,樊永良,张翔九..微区中MBE共度生长SiGe/Si异质结构的应变和退火效应[J].半导体学报,2007,28(8):1226-1231,6.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:60376012) （批准号:60376012）
