半导体学报2000，Vol.21Issue(12)：1228-1230,3.
旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡
Low-Frequency Oscillation of MESFET Channel Current Under Sidegating Bias
摘要
关键词
低频振荡/沟道-衬底结/EL2碰撞电离分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
丁勇,赵福川,毛友德,夏冠群,赵建龙..旁栅电压下MESFET沟道电流的低频振荡[J].半导体学报,2000,21(12):1228-1230,3.基金项目
国家自然科学基金资助项目(69676003) [Project Supported by National Natural Science Foundation of China Under Grant No. 69676003]. （69676003）
