半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1230-1235,6.
掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响
Influence of Doping Level on the Gauge Factor of Polysilicon Nano-Film
揣荣岩 1刘晓为 2霍明学 1宋明浩 1王喜莲 1潘慧艳1
作者信息
- 1. 哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001
- 2. 沈阳工业大学信息科学与工程学院,沈阳,110023
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摘要
关键词
多晶硅/纳米薄膜/压阻特性/隧道效应/应变系数分类
数理科学引用本文复制引用
揣荣岩,刘晓为,霍明学,宋明浩,王喜莲,潘慧艳..掺杂浓度对多晶硅纳米薄膜应变系数的影响[J].半导体学报,2006,27(7):1230-1235,6.
