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内电场对纳米硅光致发光谱的影响

黄凯 王思慧 施毅 秦国毅 张荣 郑有炓

物理学报2004,Vol.53Issue(4):1236-1242,7.
物理学报2004,Vol.53Issue(4):1236-1242,7.

内电场对纳米硅光致发光谱的影响

Effect of inner electric field on the photoluminescence spectrum of nanosilicon

黄凯 1王思慧 1施毅 1秦国毅 1张荣 1郑有炓1

作者信息

  • 1. 南京大学物理系,固体微结构国家重点实验室,南京,210093
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摘要

关键词

内电场/纳米硅/光致发光/量子限制发光中心

分类

数理科学

引用本文复制引用

黄凯,王思慧,施毅,秦国毅,张荣,郑有炓..内电场对纳米硅光致发光谱的影响[J].物理学报,2004,53(4):1236-1242,7.

基金项目

国家重点基础研究专项基金(批准号:G2001CB309)和国家自然科学基金(批准号:60206001,60290084,60225014)资助的课题. (批准号:G2001CB309)

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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