|国家科技期刊平台

首页|期刊导航|半导体学报|升华法生长AlN体单晶初探

升华法生长AlN体单晶初探

赵有文董志远魏学成段满龙李晋闽

半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1241-1245,5.

✕

半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1241-1245,5.

升华法生长AlN体单晶初探

Study of Sublimation Crystal Growth of Bulk AlN

赵有文 ¹董志远 ¹魏学成 ¹段满龙 ¹李晋闽¹

作者信息

1. 中国科学院半导体研究所,北京,100083
折叠

摘要

关键词

氮化铝/晶体/升华法

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

赵有文,董志远,魏学成,段满龙,李晋闽..升华法生长AlN体单晶初探[J].半导体学报,2006,27(7):1241-1245,5.

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

访问量1

|

下载量0

段落导航

相关论文

摘要
关键词
分类
引用文本