物理学报2000，Vol.49Issue(7)：1241-1248,8.
N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究
Study on Hot-Carrier-Effect for Grooved-Gate N-Channel Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor
摘要
关键词
槽栅MOSFET/热载流子效应/界面态/特性退化分类
数理科学引用本文复制引用
任红霞,郝跃,许冬岗..N型槽栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管抗热载流子效应的研究[J].物理学报,2000,49(7):1241-1248,8.基金项目
高等学校博士学科点专项基金(批准号:8070110)资助项目. （批准号:8070110）
