无机材料学报2002，Vol.17Issue(6)：1245-1252,8.
聚焦脉冲激光作用下 Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程及机理
Crystallization Mechanism and Course of the Ge2Sb2Te5 Thin Films under Focused Pulse Laser
摘要
关键词
Ge2Sb2Te5/薄膜/脉冲激光/晶化/过饱和度分类
数理科学引用本文复制引用
魏劲松,阮昊,干福熹..聚焦脉冲激光作用下 Ge2Sb2Te5薄膜晶化过程及机理[J].无机材料学报,2002,17(6):1245-1252,8.基金项目
国家自然科学基金(59832060) （59832060）
