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AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质

陶春旻 郑有炓 陶亚奇 陈诚 孔月婵 陈敦军 沈波 焦刚 陈堂胜 张荣

半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1251-1254,4.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1251-1254,4.

AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质

High-Temperature Transport Properties of 2DEG in AlGaN/GaN Heterostructures

陶春旻 1郑有炓 1陶亚奇 1陈诚 1孔月婵 2陈敦军 1沈波 1焦刚 3陈堂胜 2张荣2

作者信息

  • 1. 南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
  • 2. 南京电子器件研究所,南京,210016
  • 3. 北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京,100871
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摘要

关键词

AlGaN/GaN异质结构/二维电子气/高温输运

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陶春旻,郑有炓,陶亚奇,陈诚,孔月婵,陈敦军,沈波,焦刚,陈堂胜,张荣..AlGaN/GaN异质结构中二维电子气的高温输运性质[J].半导体学报,2006,27(7):1251-1254,4.

基金项目

国家重点基础研究专项基金(批准号:G20000683),国家自然科学基金(批准号:60406002,60325413,60136020),江苏省自然科学基金(批准号:BK2003411)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目 （批准号:G20000683）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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