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快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析

马丽 高勇 刘静 余明斌

电子器件2007,Vol.30Issue(4):1255-1257,1265,4.
电子器件2007,Vol.30Issue(4):1255-1257,1265,4.

快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析

Structure Design and Characteristics Analysis of Fast and Soft Recovery SiGe Switching Power Diodes

马丽 1高勇 2刘静 2余明斌3

作者信息

  • 1. 西安理工大学应用物理系,西安,710048
  • 2. 西安理工大学电子工程系,西安,710048
  • 3. 新加坡微电子研究所,新加坡,117685
  • 折叠

摘要

关键词

SiGe/Si异质结/功率二极管/快速软恢复/低漏电流

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

马丽,高勇,刘静,余明斌..快速软恢复SiGe功率开关二极管的结构设计与特性分析[J].电子器件,2007,30(4):1255-1257,1265,4.

基金项目

国家自然科学基金资助(50477012) (50477012)

陕西省教育厅专项科研项目资助(05JK268) (05JK268)

高等学校博士学科点专项科研基金资助(20050700006) (20050700006)

电子器件

OACSTPCD

1005-9490

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