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蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性

张志国 杨瑞霞 李丽 冯震 王勇 杨克武

半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1255-1258,4.
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半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1255-1258,4.

蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性

Output Power of an AlGaN/GaN HFET on Sapphire Substrate

张志国 1杨瑞霞 2李丽 1冯震 1王勇 2杨克武2

作者信息

  • 1. 河北工业大学信息工程学院,天津,300130
  • 2. 中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄,050051
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摘要

关键词

AlGaN/GaN/HFET/隔离/整流特性/退火/输出功率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张志国,杨瑞霞,李丽,冯震,王勇,杨克武..蓝宝石衬底AlGaN/GaN HFET功率特性[J].半导体学报,2006,27(7):1255-1258,4.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:51327030201)和国家基础科研基金(批准号:A1120060954)资助项目 （批准号:51327030201）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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