| 注册
首页|期刊导航|半导体学报|栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

李梅芝 陈星弼

半导体学报2007,Vol.28Issue(8):1256-1261,6.
半导体学报2007,Vol.28Issue(8):1256-1261,6.

栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响

Influence of Gate Voltages on Temperature of LDMOS Under Ultra-High Transient Currents

李梅芝 1陈星弼1

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

栅压/温度/功率密度

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李梅芝,陈星弼..栅压对LDMOS在瞬态大电流下工作的温度影响[J].半导体学报,2007,28(8):1256-1261,6.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:60476036) (批准号:60476036)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文