半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1259-1263,5.
SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变
C-V Characteristic Distortion in the Pinch-Off Mode of a Buried Channel MOS Structure in 4H-SiC
摘要
关键词
埋沟MOS结构/夹断模式/C-V特性/SiC/畸变分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
郜锦侠,张义门,张玉明..SiC隐埋沟道MOS结构夹断模式下的C-V特性畸变[J].半导体学报,2006,27(7):1259-1263,5.基金项目
国家重点基础研究发展规划资助项目(批准号:A50103250091) （批准号:A50103250091）
