电子学报2003，Vol.31Issue(8)：1260-1262,3.
浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析
Comparison and Analysis of Radiation Effects between Floating Gate ROMs and SRAMs
贺朝会 1耿斌 1杨海亮 1陈晓华 1李国政 1王燕萍1
作者信息
- 1. 西北核技术研究所,西安69信箱13分箱,陕西西安,710024
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摘要
关键词
FLASH ROM/EEPROM/SRAM/单粒子效应/总剂量效应分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
贺朝会,耿斌,杨海亮,陈晓华,李国政,王燕萍..浮栅ROM与SRAM的辐射效应比较分析[J].电子学报,2003,31(8):1260-1262,3.
