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240 nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

李竞春 韩春 周谦 张静 徐婉静

电子科技大学学报2007，Vol.36Issue(1)：126-128,3.
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电子科技大学学报2007，Vol.36Issue(1)：126-128,3.

240 nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET

Strained-Si Channel PMOSFET on 240 nm Thick Si0.8Ge0.2 Virtual Substrates

李竞春 1韩春 1周谦 1张静 2徐婉静2

作者信息

  • 1. 电子科技大学微电子与固体电子学院,成都,610054
  • 2. 中电集团24所模拟集成电路国家重点实验室,重庆,南岸区,400060
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摘要

关键词

SiGe/应变Si/低温Si/PMOSFET

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李竞春,韩春,周谦,张静,徐婉静..240 nm Si0.8Ge0.2虚衬底的应变Si沟道PMOSFET[J].电子科技大学学报,2007,36(1):126-128,3.

基金项目

国防重点实验室基金资助项目(2002JS09.3.1.DZ02) （2002JS09.3.1.DZ02）

电子科技大学学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1001-0548

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