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AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

刘鲁 范广涵 廖常俊 曹明德 陈贵楚 陈练辉

物理学报2003，Vol.52Issue(5)：1264-1271,8.
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物理学报2003，Vol.52Issue(5)：1264-1271,8.

AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用

Graded heterojunction in AlGaInP compound semiconductors and its application to HB-LED

刘鲁 1范广涵 1廖常俊 2曹明德 1陈贵楚 1陈练辉1

作者信息

  • 1. 华南师范大学信息光电子科技学院金属有机化合物气相沉积实验室,广州,510631
  • 2. 华南师范大学信息光电子科技学院量子电子研究所,广州,510631
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摘要

关键词

镓铝铟磷/异质结/渐变/二极管

分类

数理科学

引用本文复制引用

刘鲁,范广涵,廖常俊,曹明德,陈贵楚,陈练辉..AlGaInP四元系材料渐变异质结及其在高亮度发光二级管器件中的应用[J].物理学报,2003,52(5):1264-1271,8.

基金项目

广州市科技重点计划项目(批准号:1999-z-035-01)资助的课题. （批准号:1999-z-035-01）

物理学报

OA北大核心CSCDCSTPCDSCI

1000-3290

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