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BF+2注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

张廷庆 刘家璐 李建军 赵元富

半导体学报Issue(2)：127,1.
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半导体学报Issue(2)：127,1.

BF+2注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

张廷庆 1刘家璐 1李建军 2赵元富2

作者信息

  • 1. 西安电子科技大学微电子所
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摘要

关键词

SIMS技术/硅/多晶硅/单晶硅

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

张廷庆,刘家璐,李建军,赵元富..BF+2注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析[J].半导体学报,1998,(2):127,1.

半导体学报

OA北大核心CSCD

1674-4926

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