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硅基多孔β-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

吴晓华 鲍希茂 李宁生 廖良生 郑祥钦

半导体学报2000,Vol.21Issue(2):127-131,5.
半导体学报2000,Vol.21Issue(2):127-131,5.

硅基多孔β-SiC薄膜的电致发光及其机理分析

Eiectroluminescence From Silicon Based Porous β-SiC Film and Its Mechanism

吴晓华 1鲍希茂 1李宁生 1廖良生 1郑祥钦1

作者信息

  • 1. 南京大学物理系和固体微结构国家重点实验室南京 210093
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摘要

关键词

SiC薄膜/电致发光/发光机理

引用本文复制引用

吴晓华,鲍希茂,李宁生,廖良生,郑祥钦..硅基多孔β-SiC薄膜的电致发光及其机理分析[J].半导体学报,2000,21(2):127-131,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No. 59832100)[Project Supported by National Natural Science Foundation of China Under Grant No. 59832100]. (No. 59832100)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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