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半导体学报
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含N超薄栅氧化层的击穿特性
含N超薄栅氧化层的击穿特性
韩德栋
张国强
任迪远
半导体学报
2001，Vol.22
Issue(10)：1274-1276,3.
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半导体学报
2001，Vol.22
Issue(10)
：1274-1276,3.
含N超薄栅氧化层的击穿特性
Breakdown Characteristics of Nitride Ultra-Thin Gate Oxide
韩德栋
1
张国强
1
任迪远
1
作者信息
1.
中国科学院新疆物理研究所,
折叠
摘要
关键词
含N
/
超薄栅氧化层
/
击穿特性
分类
信息技术与安全科学
引用本文
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韩德栋,张国强,任迪远..含N超薄栅氧化层的击穿特性[J].半导体学报,2001,22(10):1274-1276,3.
半导体学报
OA
北大核心
CSCD
ISSN：
1674-4926
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