半导体学报2006，Vol.27Issue(7)：1274-1279,6.
具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析
A Novel Structure with Multiple Equipotential Rings for Shielding the Influence of a High Voltage Interconnection
摘要
关键词
高压互连线/等位环/击穿电压/LDMOS分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
陈万军,张波,李肇基..具有多等位环的高压屏蔽新结构MER-LDMOS耐压分析[J].半导体学报,2006,27(7):1274-1279,6.基金项目
国家自然科学基金重点项目(批准号:60436030),国家自然科学基金(批准号:60576052),预研基金(批准号:51408060904DZ0211)资助项目 （批准号:60436030）
