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高温AlN模板上p型GaN的生长研究

刘挺 邹泽亚 王振 赵红 赵文伯 罗木昌 周勋 杨晓波 廖秀英

半导体学报2008，Vol.29Issue(1)：128-132,5.
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半导体学报2008，Vol.29Issue(1)：128-132,5.

高温AlN模板上p型GaN的生长研究

Growth of p-GaN on High-Temperature AlN Templates

刘挺 1邹泽亚 2王振 1赵红 1赵文伯 1罗木昌 1周勋 2杨晓波 1廖秀英1

作者信息

  • 1. 中国电子科技集团第四十四研究所,重庆,400060
  • 2. 电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
  • 折叠

摘要

关键词

高温AlN/渐变δ掺杂/均匀掺杂/金属有机物化学气相沉积/p型GaN

分类

物理学

引用本文复制引用

刘挺,邹泽亚,王振,赵红,赵文伯,罗木昌,周勋,杨晓波,廖秀英..高温AlN模板上p型GaN的生长研究[J].半导体学报,2008,29(1):128-132,5.

基金项目

重庆市科技攻关计划资助项目(批准号:2005AA4006-B7) （批准号:2005AA4006-B7）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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