北京科技大学学报2008，Vol.30Issue(11)：1282-1285,4.
n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究
Investigation of n-type 4H-SiC wet re-oxidation annealing process and SiO2/SiC interface
摘要
关键词
4H-SiC/MOS电容/湿氧二次氧化退火/SiO2/SiC界面分类
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马继开,王德君,朱巧智,赵亮,王海波..n型4H-SiC湿氧二次氧化退火工艺与SiO2/SiC界面研究[J].北京科技大学学报,2008,30(11):1282-1285,4.基金项目
科技部重大基础研究前期研究专项资助项目(No. 2005CCA00100) （No. 2005CCA00100）
辽宁省自然科学基金资助项目(No. 20072192) （No. 20072192）
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(No. NCET-06-0278) （No. NCET-06-0278）
教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(No. 20071108) （No. 20071108）
