半导体学报2002，Vol.23Issue(12)：1286-1290,5.
微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷
Vacancy-Type Defects in Nitrogen-Doped Silicon
摘要
关键词
直拉硅/掺氮/空洞型缺陷分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
余学功,杨德仁,马向阳,李立本,阙端麟..微氮硅单晶中的空洞型原生缺陷[J].半导体学报,2002,23(12):1286-1290,5.基金项目
国家自然科学基金重点资助项目(批准号:50032010) （批准号:50032010）
