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半绝缘Si/SiO2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性

张新霞 孙甲明 张俊杰 杨阳 刘海旭

材料科学与工程学报2009，Vol.27Issue(1)：129-131,152,4.
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材料科学与工程学报2009，Vol.27Issue(1)：129-131,152,4.

半绝缘Si/SiO2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性

ACEL Properties of Semi-insulating Si/SiO2 Superlattices

张新霞 1孙甲明 1张俊杰 1杨阳 1刘海旭1

作者信息

  • 1. 南开大学物理学院,弱光非线性光子学教育部重点实验室,天津,300071
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摘要

关键词

超晶格/电致发光/Si量子点/电子平均自由程

分类

数理科学

引用本文复制引用

张新霞,孙甲明,张俊杰,杨阳,刘海旭..半绝缘Si/SiO2超晶格结构在交流电场下的电致发光特性[J].材料科学与工程学报,2009,27(1):129-131,152,4.

基金项目

"975计划"基金资助项目(2007CB613403),国家自然科学基金资助项目(60776036),(教育部新世纪人才项目NCET-07-0459) （2007CB613403）

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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