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应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

王琦王荣华夏冬梅郑有炓韩平俞慧强梅琴谢自力修向前朱顺明顾书林施毅张荣

半导体学报2007，Vol.28Issue(z1)：130-132,3.

应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响

Effect of the Thickness of the Strained Si on Hall Mobility

王琦 ¹王荣华 ¹夏冬梅 ¹郑有炓 ¹韩平 ¹俞慧强 ¹梅琴 ¹谢自力 ¹修向前 ¹朱顺明 ¹顾书林 ¹施毅 ¹张荣¹

作者信息

1. 南京大学物理学系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京,210093
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摘要

关键词

应变Si/SiC/化学气相沉积/霍尔迁移率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王琦,王荣华,夏冬梅,郑有炓,韩平,俞慧强,梅琴,谢自力,修向前,朱顺明,顾书林,施毅,张荣..应变硅薄膜的厚度对材料迁移率的影响[J].半导体学报,2007,28(z1):130-132,3.

基金项目

国家重点基础研究发展规划(批准号:2006CB604900),国家高技术研究发展规划(批准号:2006AA03A103,2006AA03A142).国家自然科学基金(批准号:60421003),高等学校博士学科点专项科研基金(批准号:20050284004)和单片集成电路与模块国家级重点实验室2006年度基金(批准号:9140C1404010605)资助项目（批准号:2006CB604900）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

ISSN：1674-4926

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