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一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

王存达 曾志斌 张国义 沈君 朱传云

半导体学报2003，Vol.24Issue(12)：1307-1311,5.
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半导体学报2003，Vol.24Issue(12)：1307-1311,5.

一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法

A New Method of Accurate Electrical Characterization of Semiconductor Diodes at Forward Bias

王存达 1曾志斌 2张国义 1沈君 2朱传云1

作者信息

  • 1. 天津大学应用物理学系,天津,300072
  • 2. 北京大学人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京,100871
  • 折叠

摘要

关键词

半导体二极管/正向电特性/串联模式/界面层/负电容

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

王存达,曾志斌,张国义,沈君,朱传云..一种精确检测半导体二极管正向电特性的新方法[J].半导体学报,2003,24(12):1307-1311,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(批准号:69789601,69876002) （批准号:69789601,69876002）

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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