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半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究

杨振英 杨树彬 王新才 殷志南

含能材料2007,Vol.15Issue(2):131-133,3.
含能材料2007,Vol.15Issue(2):131-133,3.

半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究

Initiation Technique of Semiconductor Bridge (SCB) Slapper

杨振英 1杨树彬 1王新才 1殷志南1

作者信息

  • 1. 中国兵器工业第213研究所,陕西,西安,710061
  • 折叠

摘要

关键词

应用化学/起爆/半导体桥冲击片/发火能量/半导体芯片

分类

军事科技

引用本文复制引用

杨振英,杨树彬,王新才,殷志南..半导体桥(SCB)冲击片起爆技术研究[J].含能材料,2007,15(2):131-133,3.

含能材料

OACSCDCSTPCD

1006-9941

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