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薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

陈新亮 薛俊明 孙建 任慧志 张德坤 赵颖 耿新华

人工晶体学报2006，Vol.35Issue(6)：1313-1317,5.
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人工晶体学报2006，Vol.35Issue(6)：1313-1317,5.

薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响

Effect of Film Thickness on the ZnO Thin Film as TCO Grown by MOCVD Technique

陈新亮 1薛俊明 2孙建 3任慧志 4张德坤 4赵颖 4耿新华4

作者信息

  • 1. 南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津300071
  • 2. 光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,天津300071
  • 3. 光电信息技术科学教育部重点实验室（南开大学,天津大学）,天津300071
  • 折叠

摘要

关键词

MOCVD/ZnO薄膜/透明导电氧化物/太阳电池

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

陈新亮,薛俊明,孙建,任慧志,张德坤,赵颖,耿新华..薄膜厚度对MOCVD法沉积ZnO透明导电薄膜的影响[J].人工晶体学报,2006,35(6):1313-1317,5.

基金项目

天津市自然科学基金项目(No.043604911) （No.043604911）

天津市科技攻关项目(No.043186511) （No.043186511）

人工晶体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1000-985X

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