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高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

刘祥林 王成新 韩培德

高技术通讯2000,Vol.10Issue(6):13-15,3.
高技术通讯2000,Vol.10Issue(6):13-15,3.

高迁移率AlGaN-GaN二维电子气

High Electron Mobility of Two-dimension Electron Gas in AlGaN-GaN Heterostructures

刘祥林 1王成新 1韩培德1

作者信息

  • 1. 中国科学院半导体材料开放实验室,北京,100083
  • 折叠

摘要

关键词

GaN/2DEG/MOVPE

分类

化学化工

引用本文复制引用

刘祥林,王成新,韩培德..高迁移率AlGaN-GaN二维电子气[J].高技术通讯,2000,10(6):13-15,3.

基金项目

863计划(863-715-001-0010)及国家自然科学基金(69789601)资助项目. (863-715-001-0010)

高技术通讯

OACSCDCSTPCD

1002-0470

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