半导体学报2004，Vol.25Issue(10)：1319-1323,5.
三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元
Cavity Polaritons of GaAs Quantum in Three-Dimension Semiconductor Microcavity
刘文楷 1林世鸣 2安艳伟 1张存善3
作者信息
- 1. 北方工业大学信息工程学院,北京,100041
- 2. 中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京,100083
- 3. 河北工业大学电气信息学院,天津,300130
- 折叠
摘要
关键词
半导体微腔/腔极化激元/激子分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
刘文楷,林世鸣,安艳伟,张存善..三维半导体GaAs量子阱微腔中的腔极化激元[J].半导体学报,2004,25(10):1319-1323,5.
