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人工晶体学报
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MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价
MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价
任红文
人工晶体学报
Issue(2):132,1.
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人工晶体学报
Issue(2)
:132,1.
MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价
任红文
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摘要
关键词
化学汽相沉积
/
晶体
/
砷化镓
/
AlGaAs
分类
化学化工
引用本文
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任红文..MOCVD生长GaAs/AlGaAs掺杂量子异质结构工艺评价[J].人工晶体学报,1993,(2):132,1.
人工晶体学报
OA
CSCD
ISSN:
1000-985X
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