半导体学报2001，Vol.22Issue(10)：1320-1324,5.
PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型
An Analytical Temperature-Dependent Kink Effect Model of PD SOI NMOSFET
张海鹏 1魏同立 1冯耀兰 1姚炜 1宋安飞1
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摘要
关键词
PDSOINMOSFET/翘曲效应/温度解析模型/动态平衡分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
张海鹏,魏同立,冯耀兰,姚炜,宋安飞..PD SOI NMOSFET翘曲效应的温度模型[J].半导体学报,2001,22(10):1320-1324,5.
