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N2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响

蔡文浩 黄建浩 李东升 杨德仁

材料科学与工程学报2009,Vol.27Issue(1):132-134,3.
材料科学与工程学报2009,Vol.27Issue(1):132-134,3.

N2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响

Effect of N2O Plasma Treatment on Luminescence of Silicon-rich Silicon Nitride Films

蔡文浩 1黄建浩 1李东升 1杨德仁1

作者信息

  • 1. 浙江大学硅材料国家重点实验室,浙江大学材料科学与工程系,浙江,杭州,310027
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摘要

关键词

富硅氮化硅/N2O等离子体/光致发光/电致发光

分类

数理科学

引用本文复制引用

蔡文浩,黄建浩,李东升,杨德仁..N2O等离子体处理对富硅氮化硅薄膜发光的影响[J].材料科学与工程学报,2009,27(1):132-134,3.

基金项目

"973计划"基金资助项目(2007CB613403),教育部"长江学者和创新团队发展计划资助"项目(IRT0651) (2007CB613403)

材料科学与工程学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1673-2812

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