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电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

蔡莉莉 冯翠菊 张金锋

宁夏大学学报(自然科学版)2009,Vol.30Issue(2):132-134,138,4.
宁夏大学学报(自然科学版)2009,Vol.30Issue(2):132-134,138,4.

电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究

Behavior of Irradiation Donor After Annealing in Electron Irradiated CZ-Si

蔡莉莉 1冯翠菊 1张金锋2

作者信息

  • 1. 华北科技学院,基础部,北京东燕郊,101601
  • 2. 淮北煤炭师范学院,物理与电子信息学院,安徽,淮北,235000
  • 折叠

摘要

关键词

电子辐照/辐照缺陷/施主浓度/电阻率

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

蔡莉莉,冯翠菊,张金锋..电子辐照直拉硅退火后辐照施主行为的研究[J].宁夏大学学报(自然科学版),2009,30(2):132-134,138,4.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(50472034) (50472034)

河北省自然科学基金资助项目(E2005000048) (E2005000048)

宁夏大学学报(自然科学版)

OA北大核心CSTPCD

0253-2328

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