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有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光

顾沂 吴兴龙 唐宁 鲍希茂

半导体学报2000,Vol.21Issue(2):132-136,5.
半导体学报2000,Vol.21Issue(2):132-136,5.

有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光

Origin of Enhanced Photoluminescence in Si-Covered POPS

顾沂 1吴兴龙 1唐宁 1鲍希茂1

作者信息

  • 1. 南京大学固体微结构国家重点实验室南京大学物理系南京 210093
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摘要

关键词

多孔硅/光致发光/部分氧化

引用本文复制引用

顾沂,吴兴龙,唐宁,鲍希茂..有Si覆盖的部分氧化多孔硅的光致发光[J].半导体学报,2000,21(2):132-136,5.

基金项目

国家自然科学基金资助项目(No. 59832100) [Project Suported by National Natural Science Foundation of China Un der Grant No. 59832100]. (No. 59832100)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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