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静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力

刘莹 方振贤

半导体学报2002,Vol.23Issue(12):1326-1331,6.
半导体学报2002,Vol.23Issue(12):1326-1331,6.

静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力

Adiabatic Static Memory CMOS Circuits and Its Ability in Information Recovery

刘莹 1方振贤1

作者信息

  • 1. 黑龙江大学理学院,电子工程学院,哈尔滨,150080
  • 折叠

摘要

关键词

绝热静态记忆单元/信息恢复/取样输入电路/分析等效电路

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

刘莹,方振贤..静态绝热CMOS记忆电路和信息恢复能力[J].半导体学报,2002,23(12):1326-1331,6.

基金项目

黑龙江省自然科学基金资助项目(No.F01-13) (No.F01-13)

半导体学报

OA北大核心CSCDCSTPCD

1674-4926

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