半导体学报2008，Vol.29Issue(7)：1330-1333,4.
退火温度对掺氮Zn0薄膜结构和光电特性的影响
Influence of the Annealing Temperature on the Structural and Optical Properties of N-Doped ZnO Films
摘要
关键词
热氧化/ZnO/XPS/受主能级分类
信息技术与安全科学引用本文复制引用
钟声,徐小秋,孙利杰,林碧霞,傅竹西..退火温度对掺氮Zn0薄膜结构和光电特性的影响[J].半导体学报,2008,29(7):1330-1333,4.基金项目
国家自然科学基金资助项目(批准号:50532070) （批准号:50532070）
