物理学报2000，Vol.49Issue(7)：1331-1334,4.
金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应
TEMPERATURE EFFECTS OF γ-IRRADIATED METAL-OXIDE-SEMICONDUCTOR FIELD-EFFECT-TRANSISTOR
王剑屏 1徐娜军 1张廷庆 1汤华莲 1刘家璐 1刘传洋 1姚育娟 2彭宏论 2何宝平 2张正选2
作者信息
- 1. 西安电子科技大学微电子研究所,西安,710071
- 2. 西北核技术研究所,西安,710024
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摘要
关键词
金属-氧化物-半导体场效应/辐射效应/阈值电压漂移分类
数理科学引用本文复制引用
王剑屏,徐娜军,张廷庆,汤华莲,刘家璐,刘传洋,姚育娟,彭宏论,何宝平,张正选..金属-氧化物-半导体器件γ辐照温度效应[J].物理学报,2000,49(7):1331-1334,4.
