| 注册
首页|期刊导航|重庆理工大学学报|势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

李蕊

重庆理工大学学报2007,Vol.21Issue(8):133-135,3.
重庆理工大学学报2007,Vol.21Issue(8):133-135,3.

势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响

Effect of Heterojunction Barrier Effects on Base Transit Time of SiGe HBT

李蕊1

作者信息

  • 1. 重庆工学院,数理学院,重庆,400050
  • 折叠

摘要

关键词

SiGe HBT/基区渡越时间/势垒效应

分类

信息技术与安全科学

引用本文复制引用

李蕊..势垒效应对SiGe HBT基区渡越时间的影响[J].重庆理工大学学报,2007,21(8):133-135,3.

基金项目

重庆工学院科研启动基金资助项目(2005ZD01). (2005ZD01)

重庆理工大学学报

1674-8425

访问量0
|
下载量0
段落导航相关论文